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Ionenimplantation in Halbleitersubstrate oder dielektrische Schichten

Basic Information

Name: Ionenimplantation in Halbleitersubstrate oder dielektrische Schichten
Partner: Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf (HZDR)

Description

Ionenimplantation in Halbleitersubstrate oder dielektrische Schichten

Ionenimplation von Halbleitersubstraten und dielektrischen Schichten zur Dotierung bzw. Erzeugung von Nanopartikeln oder Sekundärphasen:

  • Dotierung von Wide-Bandgap-Halbleitern (SiC, Diamant, GaN etc.)
  • Implantation von Seltenerdmetallen für Lumineszenz-Anwendungen
  • Implantation mit 3D-Metallen zur Erzeugung magnetischer Strukturen
  • Modifizierung dünner Metallschichten zur Verbesserung der Diffusionsbarriere
  • Erzeugung von Sekundärphasen (z.B. CoSi2, FeSi2, SiC in Diamant etc.) mittels Ionenstrahlsynthese
  • Erzeugung von Nanoclustern halbleitender bzw. metallischer Elemente

Energiebereich:   1 keV bis ca. 500 keV (je nach Ionenart)
Dosisbereich:   1012 bis 1016 At/cm²
Ionenarten:   Nahezu alle ionisierbaren Elemente
Substrate:   Standard-Wafer 2" bis 5" Durchmesser, Substratdicke beliebig (kleiner 100 µm bis mehrere mm), unregelmäßige Proben
Temperatur:   Variabel (20°C bis 1000°C) für Substrate bis 2"-Durchmesser

Contact: please follow the external link below for points of contact.

Link to Further Details

http://www.hzdr.de/db/Cms?pNid=head&pOid=28950

Points of Contact

Center
Phone:
+49 351 260 - 0
Fax:
+49 351 269 - 0461

Last Update

Last updated at: 13 July 2017 at 11:54:16